Драйвер полевого транзистора
Драйвер для полевых (MOSFET) транзисторов на дискретных компонентах (BJT)
Эта схема применена для управления мощной нагрузкой с помощью беспроводного модуля JDY Обновление Именно такая схема используется в светодиодном тестере, где особенно важно подавать напряжение, как можно близкое к питанию аккумулятор а для достижения большего тока стока для наибольшей выходной мощности повышающего преобразователя. Эти схемы будут нужны там, где низкое напряжение питания и транзисторы. Примером такого является схема подключения нагрузки для модуля JDY дистанционное управление :.
Драйверы управления IGBT/MOSFET
Всем хороши мощные полевые транзисторы MOSFET, кроме одного маленького нюанса, — подключить их напрямую к выводам микроконтроллера зачастую оказывается невозможно. Это, во-первых, связано с тем, что допустимые токи для микроконтроллерных выводов редко превышают 20 мА, а для очень быстрых переключений MOSFET-ов с хорошими фронтами , когда нужно очень быстро заряжать или разряжать затвор который всегда обладает некоторой ёмкостью , нужны токи на порядок больше. И, во-вторых, питание контроллера обычно составляет 3 или 5 Вольт, что в принципе позволяет управлять напрямую только небольшим классом полевиков которые называют logic level — с логическим уровнем управления. А учитывая, что обычно питание контроллера и питание остальной схемы имеет общий минусовой провод, этот класс сокращается исключительно до N-канальных «logic level»-полевиков. Одним из выходов, в данной ситуации, является использование специальных микросхем, — драйверов, которые как раз и предназначены для того, чтобы тягать через затворы полевиков большие токи. Однако и такой вариант не лишён недостатков.
Понятно, что будут рассматриваться лишь n-канальные MOSFET транзисторы, хотя все процессы одинаково справедливы и для их p-канальных сородичей. Эти емкости совместно с другими паразитными элементами оказывают основное влияние на процессы включения и выключения транзистора. Для понимания физики процессов коммутации и пояснения основных временных диаграмм напряжений и токов рассматривается режим коммутации задемпфированной индуктивной нагрузки как наиболее характерный для преобразовательной техники задемпфированной - потому, что параллельно включен диод, и напряжение на ключе не превысит напряжение источника питания. Соответствующая электрическая схема с основными паразитными элементами представлена на рисунке DRV. Эквивалентом индуктивной нагрузки является источник постоянного тока с обратным диодом. Для упрощения считаем ничтожно малым фронт импульса управления на выходе драйвера.
